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X熒光光譜儀的探測(cè)器可分為高、中、低三擋，三種不同的探測(cè)器性能也有所不同。

高檔探測(cè)器可以同時(shí)對(duì)不同濃度所有元素（一般從Na至U）進(jìn)行檢測(cè)，分辨率一般在150－180eV?？赏瑫r(shí)測(cè)定元素周期表中Na-U范圍的任何元素。對(duì)痕量檢測(cè)可達(dá)幾個(gè)ppm量級(jí)。

前面那兩檔檢測(cè)器，不能完全符合RoHS的要求，很多生產(chǎn)xrf的公司都宣稱他們的儀器能對(duì)Na到U元素進(jìn)行檢測(cè)，但測(cè)試的時(shí)候能把na到u元素分開(kāi)嗎，我們都知道相鄰元素會(huì)互相干擾，如果干擾了，你說(shuō)做出來(lái)的數(shù)據(jù)會(huì)準(zhǔn)確嗎？

中檔探測(cè)器有效檢測(cè)元素?cái)?shù)量稍多，對(duì)痕量元素較難檢測(cè)，分辨率一般在200－300eV，一般用于檢測(cè)的對(duì)象元素不是相鄰元素，元素相鄰較遠(yuǎn)（至少相隔1-2個(gè)元素以上），基體內(nèi)各元素間影響較小。??

低檔探測(cè)器有效檢測(cè)元素?cái)?shù)量少，對(duì)被測(cè)物質(zhì)中微量元素較難檢測(cè)，分辨率一般在700－1100eV，一般可分析材料基體中元素?cái)?shù)量較少，元素間相鄰較遠(yuǎn)，含量較高的單個(gè)元素。

SiPIN探測(cè)器、高純硅晶體探測(cè)器的分辨率一般是200eV–270eV，電致冷或液氮致冷Si（Li）鋰漂移硅晶體探測(cè)器的分辨率為140eV–165eV.電制冷不需要消耗液氮，但他制冷工藝復(fù)雜，價(jià)格也zui貴，靠消耗電來(lái)制冷，分辨率比液氮稍遜，但也完全符合rohs檢測(cè)的要

求。液氮制冷需消耗液氮，使用起來(lái)不方便，但液氮的溫度很低，操作者必須注意安全，但它的分辨率比電制冷稍好。這里我們還要看探測(cè)器的面積，探測(cè)器面積越大，效率越高。測(cè)試的時(shí)間就越短。市面上探測(cè)器面積有5—15mm2不等。很多XRF廠商都宣稱他們

的儀器測(cè)試時(shí)間是3分鐘，是出一個(gè)可靠的數(shù)據(jù)3分鐘嗎，還是減少測(cè)試條件，具體指減少濾光片的轉(zhuǎn)換次數(shù)和livetime來(lái)達(dá)到減少測(cè)試時(shí)間。的確很多XRF的測(cè)試時(shí)間能達(dá)到3分鐘，但出的數(shù)據(jù)是很差的。只有極少數(shù)儀器能達(dá)到這個(gè)水平。測(cè)試時(shí)間對(duì)RoHS這個(gè)行業(yè)

也是很重要的，因?yàn)楹芏鄰S家的需檢測(cè)的產(chǎn)品比較多，一天可能有300多個(gè)，甚至更多。

如果購(gòu)買了了一臺(tái)低效率的X熒光光譜儀，你可能要再買幾個(gè)才能滿足你的測(cè)試量。